Детская музыкальная школа, Москва  

Новости образования - ГОУ Детская Музыкальная Школа №86 в Олимпийской Деревне (г. Москва)
       

У нас публикуются


Наша реклама


Разделы

IT «

Пресс-релизы

Разработка физиков АлтГУ вошла в «100 лучших изобретений России»

Физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.
Данной темой авторы изобретения – заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики, заведующий лабораторией контроля качества материалов и конструкций Института цифровых технологий, электроники и физики, доктор физико-математических наук Владимир Александрович Плотников, директор ИЦТЭиФ Сергей Викторович Макаров, кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения интерметаллических пленок источников электронов и опубликовав более десятка статей по этой проблеме.
«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим химическую реакцию между слоями меди и олова, в результате которой по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Cu6Sn5 (здесь Cu это медь, а Sn это олово). Характерно, что синтез локализуется в совокупности множества реакционных островков, в результате чего на поверхности подложки формируются локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, которое может быть источником электронов в электрическом поле. В связи с тем, что поверхность пленки представляет собой высокоразвитую островковую структуру, то в электрическом поле можно создать уже высокоинтенсивный поток электронов. Такие источники электронов могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов, а также в качестве эмитеров электронов в электронных ускорителях. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.
Область практического применения разработок физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, таких как высокая прочность, высокая износостойкость, химическая стойкость к агрессивным средам. В лаборатории, где работают авторы данной разработки, проводятся исследования по созданию алмазоподобных пленок и покрытий, а также разрабатываются методы насыщения поверхностных металлических слоев детонационным наноалмазом.
«Возвращаясь к разработанному нами способу можно отметить, что интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.
Остается добавить, что разработанный учеными Института цифровых технологий, электроники и физики Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.

Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 18:00, 10.07.2020
Количество просмотров: 894
Страна: Россия

К проекту «Лига школ» присоединились Мурманск и Нарьян-Мар, Газпром нефть шельф, 22:35, 28.12.2025,
0
Старшеклассники из Мурманска и Нарьян-Мара при поддержке «Газпром нефти» освоят востребованные профессии для промышленности будущего. Местные учебные заведения присоединились к образовательному сообществу «Лига школ», созданному компанией для подготовки нового поколения инженеров и технических специалистов.


Студенты ХГУ отправятся в новогоднее путешествие по регионам России, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 15:21, 26.12.2025,
0
Сегодня, 25 декабря, обучающиеся всех институтов и колледжей Хакасского госуниверситета отпразднуют Новый год по-студенчески. Главная тема праздника – «Узоры народов России».


Сразу два представителя Алтайского ГАУ вошли в отраслевой рейтинг лучших управленцев АПК России «Соль земли-2025», ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 15:26, 26.12.2025, Россия
0
«Коммерсантъ» опубликовал результаты ежегодного отраслевого рейтинга лучших управленцев агропромышленного комплекса «Соль земли-2025», составленного Ассоциацией менеджеров при поддержке Россельхозбанка.


Студенты Хакасского госуниверситета получили премию главы региона, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 21:33, 24.12.2025,
0
В преддверии Нового года в Хакасии состоялась традиционная торжественная церемония награждения учащейся и работающей молодёжи. В числе лауреатов премии главы республики – студенты ХГУ: Зарина Джумаева, Артём Попов, Татьяна Опарина.


Детский центр Музеев Московского Кремля откроется после масштабного обновления, Музеи Московского Кремля, 20:59, 23.12.2025,
0
25 декабря 2025 года состоится церемония торжественного открытия обновленного Детского центра Музеев Московского Кремля в исторической усадьбе Александра Гедеонова на Манежной улице, д.7.



 

Релизы
Пресс релизы сегодняшнего дня
Архив пресс-релизов
Добавить пресс-релиз

Новости школы
Рассылка



Адрес школы


Москва, Олимпийская Деревня,
Мичуринский пр-т, д. 20 корп. 1

(495) 735-64-71
info@dmsh86.ru