Детская музыкальная школа, Москва  

Новости образования - ГОУ Детская Музыкальная Школа №86 в Олимпийской Деревне (г. Москва)
       

У нас публикуются


Наша реклама


Разделы

IT «

Пресс-релизы

Разработка физиков АлтГУ вошла в «100 лучших изобретений России»

Физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.
Данной темой авторы изобретения – заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики, заведующий лабораторией контроля качества материалов и конструкций Института цифровых технологий, электроники и физики, доктор физико-математических наук Владимир Александрович Плотников, директор ИЦТЭиФ Сергей Викторович Макаров, кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения интерметаллических пленок источников электронов и опубликовав более десятка статей по этой проблеме.
«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим химическую реакцию между слоями меди и олова, в результате которой по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Cu6Sn5 (здесь Cu это медь, а Sn это олово). Характерно, что синтез локализуется в совокупности множества реакционных островков, в результате чего на поверхности подложки формируются локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, которое может быть источником электронов в электрическом поле. В связи с тем, что поверхность пленки представляет собой высокоразвитую островковую структуру, то в электрическом поле можно создать уже высокоинтенсивный поток электронов. Такие источники электронов могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов, а также в качестве эмитеров электронов в электронных ускорителях. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.
Область практического применения разработок физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, таких как высокая прочность, высокая износостойкость, химическая стойкость к агрессивным средам. В лаборатории, где работают авторы данной разработки, проводятся исследования по созданию алмазоподобных пленок и покрытий, а также разрабатываются методы насыщения поверхностных металлических слоев детонационным наноалмазом.
«Возвращаясь к разработанному нами способу можно отметить, что интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.
Остается добавить, что разработанный учеными Института цифровых технологий, электроники и физики Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.

Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 18:00, 10.07.2020
Количество просмотров: 830
Страна: Россия

ХГУ получит 15 миллионов рублей грантовой поддержки, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 16:13, 03.07.2025,
0
Хакасский госуниверситет одержал победу в конкурсе грантов для образовательных организаций высшего образования от Росмолодёжи. По итогам конкурса Росмолодёжь.Гранты победителями стали 89 вузов России, в числе которых ХГУ. Благодаря победе в течение двух лет в вузе будет реализовано шесть проектов на сумму почти 15 миллионов рублей.


Как добиться успеха в космосе, спорте и актерском мастерстве, рассказали лекторы Общества «Знание» в День молодежи в Омске, Пресс-служба Российского общества "Знание", 10:47, 03.07.2025,
0
28 июня Омск присоединился к масштабной программе всероссийского праздника — Дня молодежи. В просветительском пространстве «Знай», организованном Обществом «Знание», перед молодежью выступили космонавты, известные предприниматели, спортсмены и деятели искусства. Лекторы поделились с ребятами своим опытом и рассказали о возможностях, которые доступны для молодежи в России.


Студенты-технологи Алтайского ГАУ познакомились с работой одного из крупнейших хлебопекарных предприятий России, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 10:52, 03.07.2025, Россия
0
Студенты Алтайского государственного аграрного университета посетили с интерактивной экскурсией завод ООО «Алтайхлеб» в Барнауле, где они познакомились с современными технологиями производства хлебобулочных и кондитерских изделий.


1000-ый абитуриент Алтайского ГАУ выбрал направление подготовки «Агроинженерия», ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 10:50, 03.07.2025, Россия
0
В приемной комиссии Алтайского государственного аграрного университета приняли документы от 1000-го абитуриента


Автопарк Алтайского ГАУ пополнился сразу новыми 2 автобусами, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный университеты", 10:48, 03.07.2025, Россия
0
В Алтайский государственный аграрный университет прибыли 2 новых автобуса «Газель Next» A65R52, приобретенных вузом в рамках федеральной программы «Профессионалитет»



 

Релизы
Пресс релизы сегодняшнего дня
Архив пресс-релизов
Добавить пресс-релиз

Новости школы
Рассылка



Адрес школы


Москва, Олимпийская Деревня,
Мичуринский пр-т, д. 20 корп. 1

(495) 735-64-71
info@dmsh86.ru