 |
У нас публикуются |
| |
|
|
Наша реклама |
| |
|
|
Разделы |
|
|
|
|
Пресс-релизы
Разработка физиков АлтГУ вошла в «100 лучших изобретений России»
Физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.
Данной темой авторы изобретения – заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики, заведующий лабораторией контроля качества материалов и конструкций Института цифровых технологий, электроники и физики, доктор физико-математических наук Владимир Александрович Плотников, директор ИЦТЭиФ Сергей Викторович Макаров, кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения интерметаллических пленок источников электронов и опубликовав более десятка статей по этой проблеме.
«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим химическую реакцию между слоями меди и олова, в результате которой по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Cu6Sn5 (здесь Cu это медь, а Sn это олово). Характерно, что синтез локализуется в совокупности множества реакционных островков, в результате чего на поверхности подложки формируются локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, которое может быть источником электронов в электрическом поле. В связи с тем, что поверхность пленки представляет собой высокоразвитую островковую структуру, то в электрическом поле можно создать уже высокоинтенсивный поток электронов. Такие источники электронов могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов, а также в качестве эмитеров электронов в электронных ускорителях. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.
Область практического применения разработок физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, таких как высокая прочность, высокая износостойкость, химическая стойкость к агрессивным средам. В лаборатории, где работают авторы данной разработки, проводятся исследования по созданию алмазоподобных пленок и покрытий, а также разрабатываются методы насыщения поверхностных металлических слоев детонационным наноалмазом.
«Возвращаясь к разработанному нами способу можно отметить, что интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.
Остается добавить, что разработанный учеными Института цифровых технологий, электроники и физики Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.
Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 18:00, 10.07.2020
Количество просмотров: 1004
Страна: Россия
| ХГУ к приёму абитуриентов готов: университет предлагает 1555 бюджетных мест, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 16:44, 20.06.2026, |
0 |
| Завтра, 20 июня, стартует приёмная кампания. Хакасский государственный университет ждёт абитуриентов – выпускников школ и колледжей. Также ХГУ открыт и для тех, кто уже имеет диплом о высшем образовании и хочет продолжить свой профессиональный рост. |
|
| Хакасскому госуниверситету исполняется 32 года, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 16:44, 20.06.2026, |
0 |
| Для вуза по историческим меркам это совсем небольшой период. Но становлению ХГУ предшествовала 55-летняя история Абаканского учительского и педагогического институтов, которые накопили опыт и сформировали богатые традиции высшего образования. |
|
| Выпускники Школы программистов ХГУ проверят свои знания на ЕГЭ, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 16:43, 20.06.2026, |
0 |
| В Школе программистов инженерно-технологического института ХГУ завершился учебный год. Сертификаты об обучении получили 30 выпускников. Уже 18 и 19 июня многим из них предстоит показать полученные знания на настоящих экзаменах, в России пройдёт ЕГЭ по информатике. |
|
| «Мечты о будущем» студентов ХГУ признаны лучшими на международном уровне, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 16:43, 20.06.2026, |
0 |
| Команда «Прайм» колледжа педагогического образования, информатики и права Хакасского госуниверситета стала серебряным призёром международного конкурса «Мечты о будущем». Церемония награждения финалистов прошла в национальном центре «Россия» в Москве. |
|
|
|
|
Новости школы |
| |
|
|
Рассылка |
|
|
|
|
