Детская музыкальная школа, Москва  

Новости образования - ГОУ Детская Музыкальная Школа №86 в Олимпийской Деревне (г. Москва)
       

У нас публикуются


Наша реклама


Разделы

Пресс-релизы

Разработка физиков АлтГУ вошла в «100 лучших изобретений России»

Физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.
Данной темой авторы изобретения – заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики, заведующий лабораторией контроля качества материалов и конструкций Института цифровых технологий, электроники и физики, доктор физико-математических наук Владимир Александрович Плотников, директор ИЦТЭиФ Сергей Викторович Макаров, кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения интерметаллических пленок источников электронов и опубликовав более десятка статей по этой проблеме.
«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим химическую реакцию между слоями меди и олова, в результате которой по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Cu6Sn5 (здесь Cu это медь, а Sn это олово). Характерно, что синтез локализуется в совокупности множества реакционных островков, в результате чего на поверхности подложки формируются локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, которое может быть источником электронов в электрическом поле. В связи с тем, что поверхность пленки представляет собой высокоразвитую островковую структуру, то в электрическом поле можно создать уже высокоинтенсивный поток электронов. Такие источники электронов могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов, а также в качестве эмитеров электронов в электронных ускорителях. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.
Область практического применения разработок физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, таких как высокая прочность, высокая износостойкость, химическая стойкость к агрессивным средам. В лаборатории, где работают авторы данной разработки, проводятся исследования по созданию алмазоподобных пленок и покрытий, а также разрабатываются методы насыщения поверхностных металлических слоев детонационным наноалмазом.
«Возвращаясь к разработанному нами способу можно отметить, что интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.
Остается добавить, что разработанный учеными Института цифровых технологий, электроники и физики Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.

Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 18:00, 10.07.2020
Количество просмотров: 75
Страна: Россия

АлтГУ получил 89 дополнительных бюджетных мест получил на 2020/21 учебный год, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный университеты", 15:49, 05.08.2020,
0
В соответствии с приказом Минобрнауки России от 31 июля 2020 года Алтайскому государственному университету выделено дополнительно 89 бюджетных мест на программы бакалавриата и специалитета.


АлтГУ объявил грант ректора для обучения в аспирантуре, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный университеты", 15:49, 05.08.2020,
0
Опорный Алтайский государственный университет объявил о проведении конкурсного отбора на получение гранта ректора для обучения в очной аспирантуре на договорной основе по всем направлениям подготовки.


89 дополнительных бюджетных мест получил АлтГУ на 2020/21 учебный год, Алтайский государственный университет, 15:49, 05.08.2020, Россия
0
В соответствии с приказом Минобрнауки России от 31 июля 2020 года Алтайскому государственному университету выделено дополнительно 89 бюджетных мест на программы бакалавриата и специалитета.


Фестиваль «NAUKA 0+» выходит в оффлайн, научно-просветительский центр "Университет", 17:24, 04.08.2020,
0
В Ботаническом саду Самарского университета им. Королёва начинают работать оффлайн-площадки Всероссийского фестиваля науки «NAUKA 0+». С понедельника по пятницу с 11.00 до 16.00 можно принимать участие в увлекательных научных шоу, мастер-классах, посещать интерактивные выставки. Все мероприятия бесплатные и не имеют возрастных ограничений.


Для абитуриентов Института социальных наук АлтГУ добавлено 33 бюджетных места, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный университеты", 19:45, 03.08.2020,
0
Министерство науки и образования РФ дополнительно выделило 33 бюджетных места для абитуриентов Института социальных наук Алтайского госуниверситета.



 

Релизы
Пресс релизы сегодняшнего дня
Архив пресс-релизов
Добавить пресс-релиз

Новости школы
Рассылка



Адрес школы


Москва, Олимпийская Деревня,
Мичуринский пр-т, д. 20 корп. 1

(495) 735-64-71
info@dmsh86.ru