Детская музыкальная школа, Москва  

Новости образования - ГОУ Детская Музыкальная Школа №86 в Олимпийской Деревне (г. Москва)
       

У нас публикуются


Наша реклама


Разделы

IT «

Пресс-релизы

Разработка физиков АлтГУ вошла в «100 лучших изобретений России»

Физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.
Данной темой авторы изобретения – заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики, заведующий лабораторией контроля качества материалов и конструкций Института цифровых технологий, электроники и физики, доктор физико-математических наук Владимир Александрович Плотников, директор ИЦТЭиФ Сергей Викторович Макаров, кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения интерметаллических пленок источников электронов и опубликовав более десятка статей по этой проблеме.
«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим химическую реакцию между слоями меди и олова, в результате которой по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Cu6Sn5 (здесь Cu это медь, а Sn это олово). Характерно, что синтез локализуется в совокупности множества реакционных островков, в результате чего на поверхности подложки формируются локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, которое может быть источником электронов в электрическом поле. В связи с тем, что поверхность пленки представляет собой высокоразвитую островковую структуру, то в электрическом поле можно создать уже высокоинтенсивный поток электронов. Такие источники электронов могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов, а также в качестве эмитеров электронов в электронных ускорителях. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.
Область практического применения разработок физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, таких как высокая прочность, высокая износостойкость, химическая стойкость к агрессивным средам. В лаборатории, где работают авторы данной разработки, проводятся исследования по созданию алмазоподобных пленок и покрытий, а также разрабатываются методы насыщения поверхностных металлических слоев детонационным наноалмазом.
«Возвращаясь к разработанному нами способу можно отметить, что интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.
Остается добавить, что разработанный учеными Института цифровых технологий, электроники и физики Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.

Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 18:00, 10.07.2020
Количество просмотров: 1060
Страна: Россия

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации открывает прием заявок на Всероссийскую премию «Достояние», РГСУ, 22:26, 03.09.2026,
0
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации объявляет об открытии регистрации заявок на участие во Всероссийской премии «Достояние» для обучающихся вузов. Премия станет крупнейшей национальной премией для студентов, подводящей итоги участия во внеучебной деятельности.


ТГУ внедряет ИИ в разработку учебных курсов, ТГУ, 22:26, 03.09.2026,
0
В 2026 году генеративный искусственный интеллект окончательно перешёл из категории экспериментальных технологий в арсенал повседневных инструментов высшей школы.


Студотряды Алтайского ГАУ подвели итоги Третьего трудового семестра-2026, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 22:26, 03.09.2026, Россия
0
В 2026 году на трудовой сезон выехало 10 студенческих отрядов Алтайского государственного аграрного университета. География их работы охватила Алтайский край, Удмуртскую Республику, Хабаровский и Камчатский края, а также другие регионы России.


В торжественной линейке, посвященной Дню знаний, в Алтайском ГАУ приняли участие более 1500 первокурсников, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 22:11, 01.09.2026, Россия
0
1 сентября в Алтайском государственном аграрном университете состоялась торжественная линейка, посвященная Дню знаний и началу нового учебного года.


Врио ректора Алтайского ГАУ Владимир Плешаков поздравляет коллектив вуза с Днем знаний., ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 22:11, 01.09.2026, Россия
0
Врио ректора Алтайского государственного аграрного университета Владимир Плешаков поздравляет коллектив вуза с Днем знаний.



 

Релизы
Пресс релизы сегодняшнего дня
Архив пресс-релизов
Добавить пресс-релиз

Новости школы
Рассылка



Адрес школы


Москва, Олимпийская Деревня,
Мичуринский пр-т, д. 20 корп. 1

(495) 735-64-71
info@dmsh86.ru