 |
У нас публикуются |
| |
|
|
Наша реклама |
| |
|
|
Разделы |
|
|
|
|
Пресс-релизы
Разработка физиков АлтГУ вошла в «100 лучших изобретений России»
Физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.
Данной темой авторы изобретения – заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики, заведующий лабораторией контроля качества материалов и конструкций Института цифровых технологий, электроники и физики, доктор физико-математических наук Владимир Александрович Плотников, директор ИЦТЭиФ Сергей Викторович Макаров, кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения интерметаллических пленок источников электронов и опубликовав более десятка статей по этой проблеме.
«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим химическую реакцию между слоями меди и олова, в результате которой по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Cu6Sn5 (здесь Cu это медь, а Sn это олово). Характерно, что синтез локализуется в совокупности множества реакционных островков, в результате чего на поверхности подложки формируются локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, которое может быть источником электронов в электрическом поле. В связи с тем, что поверхность пленки представляет собой высокоразвитую островковую структуру, то в электрическом поле можно создать уже высокоинтенсивный поток электронов. Такие источники электронов могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов, а также в качестве эмитеров электронов в электронных ускорителях. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.
Область практического применения разработок физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, таких как высокая прочность, высокая износостойкость, химическая стойкость к агрессивным средам. В лаборатории, где работают авторы данной разработки, проводятся исследования по созданию алмазоподобных пленок и покрытий, а также разрабатываются методы насыщения поверхностных металлических слоев детонационным наноалмазом.
«Возвращаясь к разработанному нами способу можно отметить, что интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.
Остается добавить, что разработанный учеными Института цифровых технологий, электроники и физики Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.
Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 18:00, 10.07.2020
Количество просмотров: 1074
Страна: Россия
| Студенты ХГУ стали обладателями стипендий Президента и Правительства России, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 23:20, 18.09.2026, |
0 |
| Одиннадцать студентов Хакасского госуниверситета вошли в число лучших обучающихся страны и получили стипендии Президента и Правительства Российской Федерации. Две самые престижные премии – высшее признание достижений студентов в учёбе, науке и общественной жизни. |
|
| В «Долине царей» первокурсников ХГУ посвятили в «Хранители истории», Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 23:19, 18.09.2026, |
0 |
| Совместный проект Хакасского государственного университета и музеев – Хакасского национального краеведческого имени Л.Р. Кызласова и «Древние курганы Салбыкской степи» под названием «Ожившая история Долины царей» стартовал четырнадцать лет назад. |
|
| Студенты ХГУ стали участниками туристического похода «Высота 1945», Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 23:19, 18.09.2026, |
0 |
| Путешествие в горы стало ключевым событием регионального проекта патриотических мероприятий «Мы помним подвиг наших дедов» Хакасского госуниверситета, поддержанного Росмолодёжь.Гранты. Студенты из разных институтов вуза отправились покорять вершину Кюн-Таг, что в переводе означает «Гора Солнца». |
|
|
|
|
Новости школы |
| |
|
|
Рассылка |
|
|
|
|
