 |
У нас публикуются |
| |
|
|
Наша реклама |
| |
|
|
Разделы |
|
|
|
|
Пресс-релизы
АлтГУ разрабатывает модель усовершенствованных полупроводников
Научный коллектив Института химии и химико-фармацевтических технологий Алтайского государственного университета приступил к реализации проекта под названием «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений».
В команду исследователей, которую возглавила доцент кафедры физической и неорганической химии ИХиХФТ, кандидат физико-математических наук, доцент Юлия Владимировна Терентьева, вошли студенты и аспиранты института, которые занимаются исследованием полупроводниковых систем, в том числе и легированных 3d- металлами.
Проект ученых института химии и химико-фармацевтических технологий АлтГУ нацелен на создание модели насыщения полупроводников 3d- металлами.
«Наша задача определить то количество 3d- металла, которое будет оптимальным для появления новых свойств полупроводников, поскольку их недостаток не даст желаемого результата, а от избытка полупроводниковая решетка может вообще разрушиться. Уже проведенные нами компьютерные эксперименты показали хорошие результаты, сопоставимые с практическими экспериментами, проводимыми в различных научных институтах страны, - подчеркнула Юлия Владимировна. – Мы устанавливаем содержание легирующего 3d-металла, которое позволяет приобрести исходному полупроводнику магнитные свойства, без потери полупроводниковых свойств».
Ученые АлтГУ занимаются фундаментальным исследованием полупроводниковых соединений, результаты которого могут быть в дальнейшем применены для создания новых элементов телефонов, компьютеров, телевизоров и другой электроники, вплоть до космической отрасли. Так, например, если обычный полупроводник можно использовать в лазерах, микросхемах и различной электронике, то легированные 3d-металлами могут быть использованы в качестве элементов приборов спинтроники, использующей еще и магнитные свойства полупроводников.
«До нас подобных теоретических исследований пока никто не проводил и поэтому выполняемые нами компьютерное моделирование и квантово-механический расчет позволяют предугадывать свойства той системы, которую мы исследуем. А поскольку наши результаты согласуются с результатами натурных экспериментов, то итоги нашей работы могут стать очередным шагом в фундаментальном исследовании наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений, на основе полупроводниковых матриц», - подытожила руководитель исследовательской группы.
Добавим, что проект «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений» вошел в число победителей конкурса внутриуниверситетских грантов для молодых научно-педагогических работников АлтГУ, который проходил в опорном вузе Алтайского края с марта по апрель 2020 года.
Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 15:28, 23.07.2020
Количество просмотров: 1015
Страна: Россия
| В Алтайском ГАУ прошло посвящение в студенты, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 23:20, 28.10.2026, Россия |
0 |
| В барнаульском клубе «Опера» для первокурсников состоялось торжественное мероприятие - «Посвящение в студенты Алтайского ГАУ – 2026». |
|
| В Хакасии выберут лучший студсовет общежитий Сибири и Дальнего Востока, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 23:18, 28.10.2026, |
0 |
| Завтра, 22 октября, в ХГУ им. Н.Ф. Катанова стартует межокружной этап всероссийского конкурса на лучший студенческий совет общежития «ОБЩАГА». Проект объединит лидеров студенческого самоуправления Сибири и Дальнего Востока. Программа реализуется при поддержке Росмолодёжи. |
|
|
|
|
Новости школы |
| |
|
|
Рассылка |
|
|
|
|
