 |
У нас публикуются |
| |
|
|
Наша реклама |
| |
|
|
Разделы |
|
|
|
|
Пресс-релизы
АлтГУ разрабатывает модель усовершенствованных полупроводников
Научный коллектив Института химии и химико-фармацевтических технологий Алтайского государственного университета приступил к реализации проекта под названием «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений».
В команду исследователей, которую возглавила доцент кафедры физической и неорганической химии ИХиХФТ, кандидат физико-математических наук, доцент Юлия Владимировна Терентьева, вошли студенты и аспиранты института, которые занимаются исследованием полупроводниковых систем, в том числе и легированных 3d- металлами.
Проект ученых института химии и химико-фармацевтических технологий АлтГУ нацелен на создание модели насыщения полупроводников 3d- металлами.
«Наша задача определить то количество 3d- металла, которое будет оптимальным для появления новых свойств полупроводников, поскольку их недостаток не даст желаемого результата, а от избытка полупроводниковая решетка может вообще разрушиться. Уже проведенные нами компьютерные эксперименты показали хорошие результаты, сопоставимые с практическими экспериментами, проводимыми в различных научных институтах страны, - подчеркнула Юлия Владимировна. – Мы устанавливаем содержание легирующего 3d-металла, которое позволяет приобрести исходному полупроводнику магнитные свойства, без потери полупроводниковых свойств».
Ученые АлтГУ занимаются фундаментальным исследованием полупроводниковых соединений, результаты которого могут быть в дальнейшем применены для создания новых элементов телефонов, компьютеров, телевизоров и другой электроники, вплоть до космической отрасли. Так, например, если обычный полупроводник можно использовать в лазерах, микросхемах и различной электронике, то легированные 3d-металлами могут быть использованы в качестве элементов приборов спинтроники, использующей еще и магнитные свойства полупроводников.
«До нас подобных теоретических исследований пока никто не проводил и поэтому выполняемые нами компьютерное моделирование и квантово-механический расчет позволяют предугадывать свойства той системы, которую мы исследуем. А поскольку наши результаты согласуются с результатами натурных экспериментов, то итоги нашей работы могут стать очередным шагом в фундаментальном исследовании наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений, на основе полупроводниковых матриц», - подытожила руководитель исследовательской группы.
Добавим, что проект «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений» вошел в число победителей конкурса внутриуниверситетских грантов для молодых научно-педагогических работников АлтГУ, который проходил в опорном вузе Алтайского края с марта по апрель 2020 года.
Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга (написать письмо автору)
Компания: Алтайский государственный университет (все новости этой организации)
Добавлен: 15:28, 23.07.2020
Количество просмотров: 683
Страна: Россия
| Студенты Хакасского госуниверситета получили премию главы региона, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 21:33, 24.12.2025, |
0 |
| В преддверии Нового года в Хакасии состоялась традиционная торжественная церемония награждения учащейся и работающей молодёжи. В числе лауреатов премии главы республики – студенты ХГУ: Зарина Джумаева, Артём Попов, Татьяна Опарина. |
|
| Турклуб ХГУ вошёл в десятку лучших в России, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 20:57, 23.12.2025, |
0 |
| Команда туристского клуба «Меридиан» Хакасского госуниверситета заняла седьмое место на чемпионате России по спортивному туризму в дисциплине «маршрут-лыжный». Участники преодолели живописный маршрут по Восточному Саяну и хребту Тункинские гольцы. За 20 дней ребята прошли более 200 километров. |
|
|
|
|
Новости школы |
| |
|
|
Рассылка |
|
|
|
|
